半導体 Pn接合 準方向. 6.1 pn ホモ接合の電気・光学特性 pn 接合は，半導体がデバイスとして電子回路中で機能を発揮できる，嚆矢となったものである．なぜこのような ものが考えられたのか，については，[1] などをご覧いただきたい(例により絶版であるが)． 6.1.1 平衡状態 e pna x. 第6章 太陽電池のための半導体デバイス入門（上級編） 第1章の（011）において、pn接合界面付近には内蔵電位差ができると述べました。 この現象を、第5章で学んだバンド図を使って説明してみましょう。 図1は、n型半導体とp型半導体のバンド図です。
pn接合とショットキー接合 Hello World from note-man.com半導体側をみたときにφb の障壁ができて いるが、これはショットキー障壁と呼ばれ、 次の式で表される。 φb＝φm－φχ (1) この式でφχはn型半導体の電子親和力で あり、半導体の仕事関数φs との関係は次の 式で表される。 φs＝φχ ＋（ec－ef） (2) 半導体工学（9） pn接合(2) 電子情報デザイン学科藤野毅 2 pn接合電流（順方向） 順方向電流は下記の2つのパスから成り立つ z電子がn型からp型へ注入され，p型領域で拡散・再結合する ことで流れる電流jn z正孔がp型からn型へ注入され，p型領域で拡散・再結合. Pn接合が理解でき れば、このほかmosデバイスやバイポーラトランジスタのほとんどのデバイスの動作の 理解が容易である。半導体工学の基礎の基礎をここで学ぶと思っていただきたい。 1． pn 接合ダイオードと整流方程式 pn 接合はp型半導体とn型半導体の接
第6章 太陽電池のための半導体デバイス入門（上級編） 第1章の（011）において、Pn接合界面付近には内蔵電位差ができると述べました。 この現象を、第5章で学んだバンド図を使って説明してみましょう。 図1は、N型半導体とP型半導体のバンド図です。
今回は、多くの半導体デバイスの基本的な原理である「pn接合」について説明します。 1．pn接合とは？ p型半導体とn型半導体とは？ 「pn接合」とは、「p型半導体」と「n型半導体」を接触させたときの接触面をいいます。 図1にpn接合のイメージを示します。 6.1 pn ホモ接合の電気・光学特性 pn 接合は，半導体がデバイスとして電子回路中で機能を発揮できる，嚆矢となったものである．なぜこのような ものが考えられたのか，については，[1] などをご覧いただきたい(例により絶版であるが)． 6.1.1 平衡状態 e pna x. 半導体工学（8） pn接合(1) 電子情報デザイン学科藤野毅 2 pn接合(1) 空乏層 界面の電子と正孔が結合して界面にキャリアの ない層(空乏層)が形成される p型 n型 正孔 電子 復習 3 pn接合(2) pn接合に電界を印加する z順バイアス：界面で電子と正孔が結合することに
Pn接合が理解でき れば、このほかMosデバイスやバイポーラトランジスタのほとんどのデバイスの動作の 理解が容易である。半導体工学の基礎の基礎をここで学ぶと思っていただきたい。 1． Pn 接合ダイオードと整流方程式 Pn 接合はP型半導体とN型半導体の接
半導体側をみたときにφb の障壁ができて いるが、これはショットキー障壁と呼ばれ、 次の式で表される。 φb＝φm－φχ (1) この式でφχはn型半導体の電子親和力で あり、半導体の仕事関数φs との関係は次の 式で表される。 φs＝φχ ＋（ec－ef） (2) Pn接合 p型とn型の半導体を接合した境界では、フェルミ 準位が一致し、バンドが縦にずれた電子構造が生 まれる。この接合部をpn接合と呼ぶ。 フェルミ準位は電子の水面（エネ ルギーの最上位）で、水面に差が ある時には電子が移動することで 半導体工学（9） pn接合(2) 電子情報デザイン学科藤野毅 2 pn接合電流（順方向） 順方向電流は下記の2つのパスから成り立つ z電子がn型からp型へ注入され，p型領域で拡散・再結合する ことで流れる電流jn z正孔がp型からn型へ注入され，p型領域で拡散・再結合.
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